存储位元
| 采用 | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| 存储位元 | 六管静态 MOS | 动态单管 MOS |
| 原理 | 触发器互补状态 | 电容充放电 |
| 破坏性 | 非破坏性 | 破坏性 |
存储芯片
存储芯片 :=
- 存储位元
- 外围电路
- 地址译码
- 控制电路: R/W, I/O
存储芯片层次
- 存储元件 1b
- 存储单元 nb
- 存储芯片 m $\times$ nb
- 存储器 M $\times$ Nb
地址译码
- 线选法 (SRAM)
- 片选法
存储器
SRAM
- 用 SRAM 实现の部件
- TLB
- Cache
- 分支预测器
- 内容查询存储器 CAM
- 暂存寄存器 SR
- 写缓存器 ( Cache > 写命中 直写法)
DRAM
引脚
- DRAM 的地址引脚都有行列复用，地址引脚数 = $\log_{2}$(地址数) / 2
刷新问题
DRAM 的刷新单位
DRAM 的刷新单位是行
存储器中存储芯片の刷新并行，只看单个芯片行数即可
- 单个存储芯片 m $\times$ nb
- m = $N_{\mathrm{row}}$ $\times$ $N_{\mathrm{col}}$
- 行数 = $N_{\mathrm{row}}$
异步刷新时，已知单元最大刷新间隔 $T_{\mathrm{max}}$，则刷新信号周期 $$T=\frac{T_{\mathrm{max}}}{N_{\mathrm{row}}}$$
其他刷新注意事项
4. 刷新行为不依赖外部访问 (对 CPU 透明) 5. 刷新无需选片
重要参数
- 信息保存时间 $T_{ref}$
- 刷新周期 $T_{rc}$ := 鉴别原信息所需允许的最大间隔 $<T_{ref}$
- 刷新操作周期 $T_{roc}$ := 刷新一行时间 $\approx$ 读写周期
- 刷新操作周期数 $N_{r}$ = 行数 / (刷新行数 per time)
| 刷新方式 | 集中刷新 | 分散刷新 | 异步刷新 |
|---|---|---|---|
| 课内名称 | 集中式刷新 | 透明式刷新 | 分散式刷新 |
| 工作方式 | 某个周期集中刷新，禁止读写 | 前半部分正常读写 后半部分刷新 |
$t$ = 刷新周期 / 行数 每 $t$ 周期进行一次集中刷新 |
| 优点 | 读写不受刷新操作影响 | 无死区 | 死区分散 |
| 缺点 | 死区 | 加长存储周期 $T_{S}$ | 死区 |